多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。
利用價(jià)值:從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
我國(guó)是全球多晶硅生產(chǎn)大國(guó),約占全球多晶硅總產(chǎn)量的 60%以上,其中 90%以上的多晶硅企業(yè)生產(chǎn)工藝是改良西門子法,工藝過(guò)程是工業(yè)級(jí)硅粉在流化床反應(yīng)器中氯化合成 Si HCl3(三氯氫硅),合成三氯氫硅在多級(jí)分餾塔中進(jìn)行精制提純,然后在化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器中還原沉積多晶硅,該工藝實(shí)現(xiàn)了反應(yīng)物料完全閉環(huán)生產(chǎn),H
2、Si?HCl
3、SiCl
4和 HCl 均循環(huán)利用。但在合成爐出口處氣體、還原爐高溫尾氣等工藝環(huán)節(jié)中含一定量未反應(yīng)的細(xì)硅粉(1~10 μm)以及雜質(zhì)固體顆粒須進(jìn)行過(guò)濾,否則雜質(zhì)顆粒在精餾塔、管道等處沉積堵塞嚴(yán)重影響生產(chǎn)的連續(xù)性和安全性,因此需要對(duì)上述工藝環(huán)節(jié)進(jìn)行氣體過(guò)濾凈化。本文采用微孔金屬膜作為過(guò)濾凈化的核心材料,在某多晶硅企業(yè)進(jìn)行應(yīng)用,研究過(guò)濾前后的粉塵濃度,過(guò)濾壓差隨時(shí)間的變化關(guān)系,以及微孔金屬膜的反吹再生的連續(xù)性。
在某多晶硅企業(yè)的生產(chǎn)線上,將含有微孔金屬膜的金屬過(guò)濾器安裝到生產(chǎn)線上進(jìn)行應(yīng)用研究,其工藝過(guò)程,在金屬過(guò)濾器合成氣和潔凈工藝氣體管道上分別安裝了粉塵濃度儀用于檢測(cè)過(guò)濾前后的粉塵濃度;在合成氣管道上裝有氣體流量計(jì)用于檢測(cè)金屬過(guò)濾器的氣體處理量;在金屬過(guò)濾器的上下游之間安裝了壓差計(jì)PDI,用于檢測(cè)過(guò)濾器的壓差。
工藝條件為:合成氣量 8 000~10 000mμ/h,溫度 220℃~320℃,系統(tǒng)壓力為2.0~2.8MPa,合成氣組成為 H
2、SiHCl
3、SiCl
4和HCl,粉塵雜質(zhì),高壓氮?dú)庥糜谠偕⒖捉饘倌ぃ瑝毫?.4~0.6 MPa,氮?dú)鈿獍莘e為40 L。金屬微孔膜材質(zhì)為316L,金屬微孔膜由兩層組成,分布為精度控制層(細(xì)粉末層)和粉末支撐層(大粉末層),其過(guò)濾精度為1μm。金屬微孔膜規(guī)格為Φ60 mm×1000 mm。
在微孔金屬膜投入運(yùn)行后,隨著過(guò)濾的進(jìn)行,系統(tǒng)壓差逐漸上升,當(dāng)壓差上升到一定值時(shí),需要對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行再生處理在一個(gè)再生周期內(nèi),金屬微孔膜的過(guò)濾壓差可以分為 3 個(gè)明顯階段,第一階段為過(guò)濾初期,也是濾餅形成期,時(shí)間較短,約為15 h,此時(shí)金屬微孔膜表面的濾餅快速形成,壓差隨時(shí)間快速上升,直至濾餅完全形成后,壓力逐漸趨于穩(wěn)定。第二階段為過(guò)濾中期,此時(shí)由于金屬微孔膜表面濾餅已經(jīng)形成,壓力的變化主要與過(guò)濾粉塵的性能有直接關(guān)系,此時(shí)對(duì)于多晶硅而言,過(guò)濾的粉塵顆粒硬度較大,濾餅不易壓縮,此時(shí)過(guò)濾壓差隨著濾餅的增厚,壓力逐漸增加。第三階段為過(guò)濾過(guò)濾后期,此時(shí)由于壓差較大,作用在濾餅上的壓力也增大,當(dāng)達(dá)到一定值時(shí),濾餅的粉塵顆粒產(chǎn)生的孔隙受到的壓力將使孔隙減小,因此壓力快速上升,直至材料表面的孔隙堵死。此時(shí)需要對(duì)金屬微孔膜進(jìn)行反吹再生。因此,在工業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用過(guò)程中,為了便于控制系統(tǒng)的穩(wěn)定,需要在過(guò)濾中期對(duì)金屬微孔膜進(jìn)行反吹再生。
采用過(guò)濾精度為1微米的金屬微孔膜,在多晶硅合成氣工藝環(huán)節(jié)進(jìn)行了應(yīng)用研究,結(jié)果表明經(jīng)過(guò)金屬微孔膜過(guò)濾后,合成氣內(nèi)的粉塵含量可以降至40 mg/cm3,對(duì)于大于1微米的粉塵顆粒具有顯著的攔截效果,經(jīng)過(guò)再生,金屬微孔膜過(guò)濾系統(tǒng)的可以在過(guò)濾壓差小于25 KPa下運(yùn)行。
相關(guān)資料
多晶硅(多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。)在太陽(yáng)能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng),被廣大的消費(fèi)者接受,就必須提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。不論是改良西門子法還是硅烷法生產(chǎn)工藝中都需要過(guò)濾設(shè)備,用于收集硅粉、氯硅烷循環(huán)洗滌、循環(huán)水再利用等工序。結(jié)合眾多項(xiàng)目生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),上海奕卿過(guò)濾科技有限公司提出了自己的過(guò)濾工藝解決方案。
多晶硅生產(chǎn)中所遇見(jiàn)的污染物及雜質(zhì)顆粒:
1.未完全反應(yīng)的硅粉顆粒;
2.循環(huán)液帶入的管道中的雜質(zhì);
3.進(jìn)料帶入的固體粉塵與雜質(zhì);
4.合成反應(yīng)生成的固體雜質(zhì);
這些顆粒雜質(zhì)污染物是影響生產(chǎn)穩(wěn)定、換熱效率的主要原因。上海奕卿過(guò)濾科技高效的過(guò)濾與分離設(shè)備不僅保護(hù)了生產(chǎn)設(shè)備的工藝安全,同時(shí)也提升了產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量。
尾氣過(guò)濾應(yīng)用在多晶硅生產(chǎn)的各個(gè)工藝段,對(duì)多晶硅的生產(chǎn)起到重要作用,尤其目前行業(yè)低位運(yùn)行期間,對(duì)多晶硅產(chǎn)品降低成本至關(guān)重要:
a.廢氣廢液工位的煙氣過(guò)濾;
b.還原爐尾氣分離;
c.氫化爐尾氣分離;
d.硅粉過(guò)濾等。
1、還原尾氣分離
在SiCl4氫化氣和SiHCl3還原氣通過(guò)干法分離后,H2和HCl得以回收利用,在H2回用前需過(guò)濾氣體中含有的未反應(yīng)硅粉和生成的石墨粉,來(lái)保證氫氣純凈,使氫化反應(yīng)和還原反應(yīng)更穩(wěn)定、高效。
問(wèn)題: |
要求: |
解決: |
氫氣為高危氣體 |
過(guò)濾器密封性能良好 |
采用自動(dòng)反吹系統(tǒng),無(wú)須打開(kāi)濾器,減少內(nèi)件更換頻次,避免泄露可能 |
石墨粉/硅粉顆粒粒徑微小,硬度高。 |
過(guò)濾精度要求高,防止內(nèi)件穿透。 |
采用獨(dú)特的燒結(jié)金屬氈內(nèi)件,過(guò)濾孔徑穩(wěn)定,保證過(guò)濾性能,過(guò)濾精度可達(dá)0.1um-0.5um |
尾氣溫度高 |
抗溫要求高。避免降溫處理帶來(lái)的一系列問(wèn)題。 |
奕卿采用高溫直接處理工藝,避免降溫處理帶來(lái)管道腐蝕,能耗浪費(fèi)嚴(yán)重的問(wèn)題。 |
2、廢氣、廢液焚燒處理
在多晶硅生產(chǎn)工藝中,廢氣廢液處理一直是困擾企業(yè)的難題之一。傳統(tǒng)的噴淋處理工藝,處理成本高,浪費(fèi)嚴(yán)重,環(huán)保問(wèn)題嚴(yán)峻。
解決方案:
上海奕卿科技采用干法分離技術(shù),將廢氣廢液在爐內(nèi)燃燒,生成SiO2粉末,通過(guò)分離收集SiO2粉末產(chǎn)生極大的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí)解決環(huán)保達(dá)標(biāo)排放問(wèn)題。
工藝優(yōu)勢(shì):
1、廢氣廢液集中處理,工藝流程短,操作簡(jiǎn)單;
2、回收的SiO2粉末產(chǎn)生極大的經(jīng)濟(jì)效益;
3、氣體經(jīng)燃燒后,符合環(huán)保要求,可直接放空處理,經(jīng)濟(jì)環(huán)保。
相關(guān)資料:
多晶硅生產(chǎn)流程;
多晶硅生產(chǎn)粉塵雜質(zhì)過(guò)濾;
半晶態(tài)硅酸鈣材料結(jié)晶狀態(tài)對(duì)過(guò)濾分離的影響;
多晶硅的質(zhì)量控制;
多晶硅凈化系統(tǒng)過(guò)濾元件再生機(jī)理研究;
多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中硅渣漿的處理;
多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)尾氣的回收;
多晶硅生產(chǎn)中氯硅烷廢氣廢液處理;
多晶硅尾氣回收工藝研究進(jìn)展;
尾氣回收對(duì)多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量和成本的影響;
相關(guān)產(chǎn)品:
全自動(dòng)金屬粉末燒結(jié)濾芯過(guò)濾器
技術(shù)支持:
如何選擇過(guò)濾設(shè)備—工況調(diào)查表
常見(jiàn)流體的粘度;
常見(jiàn)顆粒物的大小及設(shè)備選型參考;
常見(jiàn)流體化學(xué)適應(yīng)性表;
選擇過(guò)濾精度時(shí)微米和目數(shù)的關(guān)系;
常見(jiàn)管道尺寸對(duì)照表;
如何挑選合適的過(guò)濾袋-過(guò)濾芯;
過(guò)濾機(jī)理和形式;
過(guò)濾行業(yè)中的常用術(shù)語(yǔ);
過(guò)濾行業(yè)常見(jiàn)的單位換算;
過(guò)濾的種類及模式;
過(guò)濾行業(yè)中的一些名詞定義;
常見(jiàn)顆粒物粒徑大小;
常用壓濾機(jī)濾布分類;
過(guò)濾機(jī)理;
幾種過(guò)濾方法能耗分析;
幾種金屬顆粒和化合物粒徑分布;